TRANSISTORS MOS IXYS

Package/Boîte: TO-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Id - Courant continu de fuite: 50 A Rds On - Résistance drain-source: 45 mOhms Vgs - Tension grille-source: 20 V Température de fonctionnement max.: + 150 C Conditionnement: Tube Mode canal: Enhancement Configuration: Single Temps de descente: 16 ns Transconductance directe - min.: 32 S Température de fonctionnement min.: - 55 C Pd - Dissipation d’énergie : 300 W Temps de montée: 15 ns