TRANSISTOR

Polarité du transistor: NPN Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 120 V Collecteur - Tension de base VCBO: 200 V Émetteur - Tension de base VEBO: 7 V Courant CC max. du collecteur: 15 A Produit gain-bande passante fT : 6 MHz Température de fonctionnement max.: + 200 C Marque: NXP Semiconductors Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 10 at 4 A at 2 V Température de fonctionnement min.: - 65 C Pd - Dissipation d’énergie : 115000 mW