TRANSISTOR NPN EPITAXIAL 50V 0.1A 0.5W TO92 hFE:380-800

Package/Boîte: TO-92-3 (TO-226) Polarité du transistor: NPN Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 45 V Collecteur - Tension de base VCBO: 50 V Émetteur - Tension de base VEBO: 6 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 0.2 V Courant CC max. du collecteur: 0.1 A Produit gain-bande passante fT : 200 MHz Température de fonctionnement max.: + 150 C Courant de collecteur continu : 0.1 A Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 270 Température de fonctionnement min.: - 55 C