ANALYSEUR DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS

•identification automatique des composants •identification automatique des broches de connexion •identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt •transistors bipolaires : mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium •mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement •mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors •extinction automatique et manuelle Spécifications •Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified •courant crête de court-circuit coupé: -5.5 mA jusqu'à 5.5 mA •tension crête de court-circuit permanent: -5.1 V jusqu'à 5.1 V •transistor: ?plage de gain (HFE): 4 - 65 000 ?précision de gain: ± 3% ± 5 Hfe ?tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO): 2.0 V - 3.0 V ?précision de tension base-émetteur VBE: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV ?tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V) ?seuil de résistance shunt base-émetteur: 50 kO - 70 kO ?courant de collecteur BJT: 2.45 mA - 2.55 mA ?courant de fuite acceptable BJT: 0.7 mA ?MOSFET: ?plage de tension de grille-source: 0.1 V - 5.0 V ?précision de seuil: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV ?courant drain: 2.45 mA - 255 mA ?résistance de grille: 8 kO ?courant du drain d'appauvrissement: 4.5 mA ?courants drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA •thyristor/Triac: ?courant de grille: 4.5 mA ?courant de maintien: 5.0 mA •diode: ?courant de test: 5.0 mA ?précision de tension: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV ?tension directe pour identification LED: 1.50 V - 4.00 V ?seuil de court-circuit: 10 O •batterie: ?type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline ?plage de tension: 7.50 V - 12 V ?seuil d'alarme: 8.25 V •dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8") •Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz) •température de travail: 0°C~50°C (32F ~ 122F)